（12分）一种半导体材料电学元件，电路符号为“
” ，其特点导电性能随电压而变化。某实验兴趣小组对一只元件的伏安特性曲线进行测绘探究。
①同学们为了描绘该半导体材料元件的伏安特性曲线，测量数据如下表，请在下面坐标纸上画出该半导体材料元件的伏安特性曲线．
次数
| 1
| 2
| 3
| 4
| 5
| 6
| 7
| 8
| 9
| 10
|
电流I/mA
| 0
| 0
| 0.2
| 1.8
| 3.9
| 8.6
| 14.0
| 21.8
| 33.5
| 50.0
|
电压U/V
| 0
| 0.50
| 0.75
| 1.00
| 1.25
| 1.50
| 1.75
| 2.00
| 2.25
| 2.50
|
他们选择以下部分器材进行实验：
A．直流电源（电动势3V，内阻很小）；
B．滑动变阻器（0～20Ω）； C．滑动变阻器（0～2kΩ）；
D．
电压表（量程3V、内阻约30KΩ）；
E．电流表（量程0.6A、内阻约0.1Ω）； F．电流表（量程50mA、内阻约1.3Ω）；
G．待测元件； H．单刀双掷开关一个，单刀单掷开关一个，导线若干等。
②为了提高测量结果的准确度，电流表应选用
。滑动变阻器应选用
。（填序号字母）
③将虚线框中实验电路图补充完整；
④实验时电压从零开始调节，开关S
1闭合之前，开关S
2应该置于
端（填a或b）；当开始做第
组数据的时候，将开关S
2置于另外一端
⑤把此元件和电阻为99欧姆的标准电阻串联接在电动势3V，内阻为1Ω的电源两端，此时电源的输出功率为
．
)，当被测阻值大于临界阻值采用内接，小于临界阻值采用外接，下表表明第6组数据以及以后其阻值均小于临界阻值。