◎ 题目

如图所示的装置，左半部为速度选择器，右半部为匀强的偏转电场，一束同位素离子流从狭缝S1射入速度选择器，能够沿直线通过速度选择器并从狭缝S2射出的离子，又沿着与电场垂直的方向，立即进入场强大小为E的偏转电场，最后打在照相底片D上。已知同位素离子的电荷量为q（q>0），速度选择器内部存在着相互垂直的场强大小为E0的匀强电场和磁感应强度大小为B0的匀强磁场，照相底片D与狭缝S1、S2的连线平行且距离为L，忽略重力的影响。 （1）求从狭缝S2射出的离子速度v0的大小； （2）若打在照相底片上的离子在偏转电场中沿速度v0方向飞行的距离为x，求出x与离子质量m之间的关系式（用E0、B0、E、q、m、L表示）。

◎ 答案

解：（1）能从速度选择器射出的离子满足 qE0=qv0B0 ①   ② （2）离子进入匀强偏转电场E后做类平抛运动，则 x=v0t ③   ④ 由牛顿第二定律得qE=ma ⑤ 由②③④⑤式解得

◎ 解析

“略”

◎ 知识点

    专家分析，试题“如图所示的装置，左半部为速度选择器，右半部为匀强的偏转电场，一束同位素离子流从狭缝S1射入速度选择器，能够沿直线通过速度选择器并从狭缝S2射出的离子，又沿着与电场垂直…”主要考查了你对  【带电粒子在复合场中的运动】  等知识点的理解和应用能力。关于这些知识点的“档案”，你可以点击相应的链接进行查看和学习。