如图9所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图。在Oxy平面的ABCD区域内,存在两个场强大小均为E的匀强电场I和II,两电场的边界均是边长为L的正方形(不计电子所受

◎ 题目

如图9所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图。在Oxy平面的ABCD区域内,存在两个场强大小均为E的匀强电场I和II,两电场的边界均是边长为L的正方形(不计电子所受重力)。                                            
小题1:在该区域AB边的中点处由静止释放电子,   求电子离开ABCD区域的位置。
小题2:在电场I区域内适当位置由静止释放电子,电子恰能从ABCD区域左下角D处离开,求所有释放点的位置。
小题3:若将左侧电场II整体水平向右移动L/n(n≥1),            
仍使电子从ABCD区域左下角D处离开(D不随电场移动),求在电场I区域内由静止释放电子的所有位置。

◎ 答案


小题1:坐标为(-2L
小题2:xy=
小题3:

◎ 解析

小题1:设电子的质量为m,电量为e,电子在电场I中做匀加速直线运动,出区域I时的为v0,此后电场II做类平抛运动,假设电子从CD边射出,出射点纵坐标为y,有
     
解得 y=,所以原假设成立,即电子离开ABCD区域的位置坐标为(-2L
小题2:设释放点在电场区域I中,其坐标为(xy),在电场I中电子被加速到v1,然后进入电场II做类平抛运动,并从D点离开,有


解得 xy=,即在电场I区域内满足议程的点即为所求位置。
小题3:设电子从(xy)点释放,在电场I中加速到v2,进入电场II后做类平抛运动,在高度为y′处离开电场II时的情景与(2)中类似,然后电子做匀速直线运动,经过D点,则有           

解得 ,即在电场I区域内满足议程的点即为所求位置

◎ 知识点

    专家分析,试题“如图9所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图。在Oxy平面的ABCD区域内,存在两个场强大小均为E的匀强电场I和II,两电场的边界均是边长为L的正方形(不计电子所受…”主要考查了你对  【电势差与电场强度的关系】  等知识点的理解和应用能力。关于这些知识点的“档案”,你可以点击相应的链接进行查看和学习。

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